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當前位置：首頁產品中心光電探測器InGaAs銦鎵砷光電二極管InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

產品簡介

InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

InGaAs 雪崩光電二極管（APD）是短波近紅外單 光子檢測的專用器件，可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求，實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

產品型號：
更新時間：2024-12-05
廠商性質：經銷商
訪問量：1176
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品牌其他品牌產地類別進口
應用領域化工,能源,建材,電子

InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

InGaAs 雪崩光電二極管（APD）是短波近紅外單 光子檢測的專用器件，可滿足量子通信、弱光探測等領 域對高效率低噪聲單光子檢測的技術需求，實現對0.9 ~ 1.7μm波長的單光子探測。

光譜響應
900-1700nm
響應度
@1550nm 0.85 A/W
技術參數

線性模式參數

產品型號

IGA-APD-GM104-R

參數

符號

單位

測試條件

最小

典型

最大

反向擊穿電壓

VBR

V

22℃±3℃ ，ID =10μA

60

80

90

響應度

Re

A/W

22℃±3℃ ,λ =1550nm ，M =1

0.8

0.85


暗電流

ID

nA

22℃±3℃ ，M =10


0.1

0.3

電容

C

pF

22℃±3℃ ，M =10， f=1MHz



0.25

擊穿電壓溫度 系數

η

V/K

-40℃ ~80℃，ID =10μA



0.15


蓋革模式參數


參數

單位

測試條件

最小

典型

最大

單光子探測效 率PDE

%

-45℃ ，λ =1550nm， 0.1ph/pulse

泊松分布單光子源

20



暗計數率DCR

kHz

-45℃ ，1ns門寬， 2MHz門控重頻，1MHz光重頻，PDE=20%



 

20*

后脈沖概率 APP


-45℃ ，1ns門寬， 2MHz門控重頻，1MHz光重頻，PDE=20%



 

1× 10-3

時間抖動Tj

ps

-45℃ ，1ns 門 寬 ，2MHz門控重頻，PDE=20%



100

* 可提供不同等級規格產品

產品特點

● 光譜響應范圍0.9~1.7μm 

● 高探測效率、低暗計數率 

● 3 pin TO46

尺寸規格

TO46 （尾纖封裝）

APD1.png

產品應用

● 弱光探測

● 量子保密通信 

● 生物醫療

InGaAs蓋革模式雪崩光電二極管 (非制冷型)

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